我国碲锌镉半导体材料制备技术获重大突破，承禹新材创新引领产业升级

我国在高端半导体材料领域传来捷报：前沿化合物半导体材料碲锌镉（CdZnTe）的制备技术取得关键性突破，由承禹新材科技有限公司（以下简称“承禹新材”）自主研发的先进制备工艺成功实现高纯度、大尺寸晶体的稳定生长，核心性能指标达到国际先进水平，标志着我国在高端辐射探测及红外光电材料领域自主可控能力显著提升。

碲锌镉是一种性能优异的II-VI族化合物半导体材料，因其优异的光电转换效率、高原子序数和良好的载流子运输性能，被广泛应用于室温核辐射探测器、红外焦平面阵列衬底以及安保医疗成像等高端领域。该材料长期以来面临大尺寸单晶生长困难、性能均匀性控制不易等技术瓶颈，高规格产品严重依赖进口。

承禹新材技术团队经过数年攻关，创新性地开发出改进型垂直布里奇曼（VB）生长技术结合多级退火工艺，有效解决了晶体生长过程中的组分过冷和孪晶缺陷难题，成功制备出直径超过3英寸的高质量碲锌镉单晶。经权威机构检测，其电阻率、载流子迁移率与寿命乘积（μτ）等关键指标均优于行业平均水平，探测器能量分辨率达到国际领先水准。

承禹新材的成绩斐然并非偶然。公司依托高水平研发平台，组建了涵盖材料物理、晶体生长、精密加工等多学科的核心团队，建立了从原料提纯、晶体生长到器件验证的全链条研发体系。此次突破不仅体现在技术指标上，更在于工艺的可重复性和量产潜力——独创的温度场控制方案大幅提高了晶体成品率，降低了生产成本，为大规模产业化奠定了坚实基础。

业内专家表示，承禹新材的碲锌镉技术突破具有重要的战略意义。一方面，它打破了国外长期技术垄断，为我国核安全监测、空间探测、医疗影像设备等关键领域提供了可靠的国产材料保障；另一方面，该成果将带动上游高纯原料、专用设备及下游探测器件的协同发展，助推我国半导体材料产业向价值链高端迈进。

面对承禹新材负责人表示，将继续深化新材料技术开发，重点优化大尺寸晶体的性能一致性，并拓展碲锌镉在柔性电子、太赫兹探测等新兴领域的应用。随着产学研用深度融合的推进，我国碲锌镉半导体材料有望在全球竞争中占据更重要的位置，为战略性新兴产业的高质量发展注入新动能。